華晶CS105N15 A8
Silicon N-Channel Power MOSFET
描述
采用*的溝槽技術獲得了CS105N15A8硅N通道增強VDMOSFET，降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開關電路，用于系統小型化和更高的效率。 包裝形式為TO-220AB，符合RoHS標準。
特點：
l緊開關
l低導通電阻
l低門電荷
l低反向傳輸電容(典型：220.2pF)
l99%單脈沖雪崩能量測試
應用：
適配器和充電器的電源開關電路。
深圳市飛捷士科技有限公司
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華晶CS105N15A8SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述采用*的溝槽技術獲得了CS105N15A8硅N通道增強VDMOSFET，降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量
華晶CS105N15 A8
Silicon N-Channel Power MOSFET
描述
采用*的溝槽技術獲得了CS105N15A8硅N通道增強VDMOSFET，降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開關電路，用于系統小型化和更高的效率。 包裝形式為TO-220AB，符合RoHS標準。
特點：
l緊開關
l低導通電阻
l低門電荷
l低反向傳輸電容(典型：220.2pF)
l99%單脈沖雪崩能量測試
應用：
適配器和充電器的電源開關電路。
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