技術參數(shù)
| 品牌： | ONSEMI |
| 型號： | FCD2250N80Z |
| 封裝： | ON |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 50016 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 800 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 2.6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 2.25 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 14 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 39 W |
| 商標名： | SuperFET II |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FCD2250N80Z |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨導 - 最小值： | 2.28 S |
| 下降時間： | 8.7 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 6.7 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 26 ns |
| 典型接通延遲時間： | 11 ns |
| 單位重量： | 260.370 mg |
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