一、概述
該產品采用 H 橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 8V 到 36V。27℃，VM=24V 條件下 SOP8封裝持續輸出電流達到 0.6A，峰值輸出電流達到 1.2A。
該電路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監控芯片內部發熱，當芯片內部溫度超過設定值時(典型值 150℃)，產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重事故。芯片內置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到溫度后，才允許重新對功率管進行控制。
二、特性
?低待機電流
?低導通內阻 MOSFET 功率開關管
— 采用 MOS 工藝設計功率管
— SOP8 封裝 12V 供電 500 毫安通道功率管內阻 2.2 歐姆
?較小的輸入電流
— 集成約 106K 對地下拉電阻
— 5V 驅動信號平均 47uA 輸入電流
?內置帶遲滯效應的過熱保護電路 (TSD)
?抗靜電等級：2KV (HBM)
三、應用范圍
?直流風扇搖頭電機驅動
?航模電機驅動
?監控設備步進電機驅動
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