產品簡介
技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMN2300UFB4-7B封裝：DFN批次：2020數量：10000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：X2-DFN1006-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES/美臺 |
| 型號： | DMN2300UFB4-7B |
| 封裝： | DFN |
| 批次： | 2020 |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | X2-DFN1006-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 1.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 175 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 450 mV |
| Qg-柵極電荷： | 1.6 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | DMN2300 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 13 ns |
| 上升時間： | 2.8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 38 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3.5 ns |
| 單位重量： | 1 mg |
- 上一篇： VS-30WQ03FNTRL-M3
- 下一篇： NTD20N03L27T4G
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。