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Thorlabs OEM熱敏功率探測器 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs OEM熱敏功率探測器有源區由四個熱耦合的方形探頭構成四象限配置每個探頭都是獨立的熱電堆，帶有自己的焊接端子高分辨率的PCB安裝版本提供30 #181;m的空間分辨率對比
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Thorlabs 鍺跨阻光電探測器 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 3 Thorlabs 鍺跨阻光電探測器探測范圍：800 - 1800 nm低噪聲、寬帶放大器帶寬范圍從DC到510 kHz或從DC到590 kHz0到10伏輸出對比
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Toptica數控可調半導體激光 DLC pro 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 3 Toptica數控可調半導體激光 DLC pro可調諧半導體激光 pro design?對溫度變化和聲音影響穩定配有數字控制模塊 DLC pro: 更少頻率漂移，更窄線寬運行時線寬可達 10 kHz在與外腔參照鎖模情況下，線寬可達 1 Hz對比
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Thorlabs 衍射極限非球面透鏡 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs 衍射極限非球面透鏡高斯特列爾比：大于0.80七種直徑/焦距組合三種設計波長：532 nm、780 nm或1310 nm非常適合衍射極限準直與耦合對比
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Thorlabs 消色差雙膠合透鏡，未安裝 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs 消色差雙膠合透鏡，未安裝鍍增透膜，用于650 - 1050 nm正雙膠合透鏡尺寸：從#216;5 mm至#216;2英寸負雙膠合透鏡尺寸：#216;1/2英寸和#216;1英寸提供焦距為7.5 mm至1000 mm的正雙膠合透鏡提供焦距為-20 mm至-100 mm的負雙膠合透鏡對比
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Thorlabs 模壓玻璃非球面透鏡，增透膜 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs 模壓玻璃非球面透鏡，增透膜模壓玻璃非球面透鏡聚焦或準直光，不會引入球差可選未安裝或預安裝在刻有型號的非磁303不銹鋼外殼版本寬帶AR膜，波長范圍為600 - 1050 nm或650 - 1050 nm對比
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Thorlabs 正彎月透鏡 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs 正彎月透鏡硒化鋅基底寬帶增透膜范圍：7 - 12 μm焦距選項從15 mm到1000 mm對比
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Thorlabs 小型反射式準直器 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-22 瀏覽次數 2 Thorlabs 小型反射式準直器消色差設計，準直反射鏡的整個反射帶有保護層的銀膜(450 nm - 20 #181;m)提供高反射率非常適合將多色光耦合到多模光纖中表面粗糙度：lt; 100 #197;(RMS)對比
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高溫高真空共晶爐 HV4 參考價 ￥面議
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品牌 型號 HV4 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： HV4 焊接面積： 爐膛高度： 100 溫度范圍： ℃ 冷卻方式： 水冷對比
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高真空回流焊V3HV 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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高真空真空共晶爐—V4 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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V系列高真空真空回流焊/共晶爐—V3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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真空共晶爐/真空回流焊機—H3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 H3 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： H3 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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在線式真空回流焊 —— V6/V6L 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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真空回流焊接系統----V8L 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 2 型 號： 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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RS系列真空回流焊 RS220 參考價 ￥面議
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品牌 型號 RSS-310 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： RSS-310 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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RS系列真空回流焊 RS160 參考價 ￥面議
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品牌 型號 RS160 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 型 號： RS160 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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RS系列真空回流焊 RS110 參考價 ￥面議
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品牌 型號 RS110 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 2 型 號： RS110 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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真空共晶爐/真空回流焊機—V5 參考價 ￥面議
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品牌 型號 V5 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2026-01-06 瀏覽次數 1 型 號： V5 焊接面積： 爐膛高度： 溫度范圍： ℃ 冷卻方式：對比
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EPON 1GE ONU 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 6 JY-EP8100型ONU產品全面遵循IEEE 802.3-2005和中國電信EPON設備技術要求V2.1，具有電信級可運營、可管理、易維護的特點，為橋接型家庭側設備，通過EPON技術實現家庭/SOHO用戶的超寬帶接入。其具備1個PON上聯接口通過光纖與局端設備連接。結構小巧，支持安置桌面，壁掛或者安置在樓道信息箱。對比
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1GE+3FE+1POTS+WIFI EPON 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 9 JY-E8411-Z在EPON系統中為ONT設備終端，與OLT配合，ONT可向相連的用戶提供各種寬帶服務，如Internet, VoIP，HDTV，Video Conference等業務。它基于成熟穩定、高性價比的EPON技術，提供一個PON接口，三個10/100M，一個1000M自適應電接口，一個VO接口以及一個USB接口。采用單纖波分復用技術(下行1490nm，上行1310nm)，僅需一根光纖和OLT相連，傳輸距離可達20 公里，支持掉電上報功能，支持本地WEB管理功能。對比
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1GE+1FE+1POTS+WIFI EPON 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 7 遵循IEEE802.3ah EPON標準/ITU-T G.984 GPON標準 語音協議：SIP和H.248 多業務接口：1GE，1FE，1POTS，WIFI 高性能WiFi 多重管理方式選擇 與主流OLT供應商兼容對比
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1GE+1FE+1POTS+WIFI+CATV EPON 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 9 遵循IEEE802.3ah EPON標準/ITU-T G.984 GPON標準 語音協議：SIP和H.248 多業務接口：1GE，1FE，WIFI，CATV 高性能WiFi 多重管理方式選擇 與主流OLT供應商兼容對比
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1GE+WIFI EPON 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 8 遵循IEEE802.3ah EPON標準/ITU-T G.984 GPON標準 多業務接口：1GE，WIFI 高性能WiFi 多重管理方式選擇 與主流OLT供應商兼容對比
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1GE EPON ONU 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 10 JY-EP8100型ONU產品全面遵循IEEE 802.3-2005和中國電信EPON設備技術要求V2.1，具有電信級可運營、可管理、易維護的特點，為橋接型家庭側設備，通過EPON技術實現家庭/SOHO用戶的超寬帶接入。其具備1個PON上聯接口通過光纖與局端設備連接。結構小巧，支持安置桌面，壁掛或者安置在樓道信息箱。對比
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SFP EPON 模塊ONU 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 8 EPON Stick模塊 ONU為以太無源光網絡（EPON）系列產品中的SFP ONU設備，其遵循IEEE802.3ah國際標準、YD/T 1475-2006標準、CTC 2.1電信標準及廣電相關標準，具備良好的局端兼容性，可與主流局端廠商OLT設備互連互通。即插即用，可與交換機良好工作。對比
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EPON OLT 模塊 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 10 *單纖傳輸，SC/UPC接口*速率達到1.25Gbps*支持DDM，支持溫度，電源，接收發射狀態診斷*支持20KM傳輸*支持SFP即插即用*支持IEEE802.3ah標準對比
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4GE+2POTS+2.4G & 5G WIFI EPON ONT 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-12-30 瀏覽次數 14 遵循IEEE802.3ah EPON標準/ITU-T G.984 GPON 標準 語音協議：SIP和H.248 多業務接口：4GE，2POTS，雙頻WIFI，USB2.0 高性能雙頻WiFi 多重管理方式選擇 與主流OLT供應商兼容對比
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景頌 GIEMSON GXA三相電力調整器 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-19 瀏覽次數 13 GXA系列智能電力調整器是頌銳機電科技(上海)有限公司針對中國市場開發出的數字調壓器對比
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V-1300便攜式光度計 參考價 ￥面議
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品牌 型號 V-1300 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-17 瀏覽次數 10 便攜式光度計功能特點● 低功耗設計，使用鋰電池（16V-24V）為供電電源；可選配使用外接適配器交流電源及USB輸出模塊，更靈活方便● 中文菜單顯示，操作更加便捷● 續航時間長，標準配置充電一次可單獨工作3-4小時，每增加一萬毫安可續航一小時；比車載電源更加穩定可靠。● 背光顯示，便于在較暗處和陽光直射下操作● 進口檢測光源和的信號處理器，使得測試數據更加精準可靠對比
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4/6英寸輻射式樣品臺系統 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 19 簡要描述：4/6英寸輻射式樣品臺系統"可能指的是一種用于實驗或研究的設備或組件，特別是在材料科學、物理學、工程學或其他需要精確控制和分析樣品的環境中的設備。對比
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插拔式加熱器沉積系統 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 18 簡要描述：插拔式加熱器沉積系統是一種方便、實用的加熱設備，廣泛應用于各種工業和商業領域。這種加熱器通常具有緊湊的設計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效的加熱功能。對比
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脈沖激光沉積系統激光光路 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 29 簡要描述：脈沖激光沉積系統激光光路是一個高度復雜和精密的系統，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質量的薄膜。同時，隨著科技的發展，脈沖激光沉積技術也在不斷地進步和優化，為薄膜科學和工業應用提供了*的支持。對比
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單腔體脈沖激光沉積系統 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 90 簡要描述：單腔體脈沖激光沉積系統是一種的材料制備技術，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發和電離靶材上的物質，并在基底上沉積形成各種物質薄膜。這種系統通常包括一個沉積室，其中激光聚焦于靶材上的一個小面積，使其材料蒸發或電離并向基底運動。基底通常保持在較低的溫度，以便在沉積過程中形成高質量的薄膜。對比
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雙腔體脈沖激光沉積系統 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 54 簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種的薄膜制備技術，它結合了脈沖激光沉積（PLD）技術和雙腔體設計的優勢。這種系統通常用于在實驗室環境中生長高質量的薄膜材料，廣泛應用于物理、化學、材料科學和工程等領域。對比
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批量式電漿輔助氣相沉積設備 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 20 簡要描述：批量式電漿輔助氣相沉積設備為一種使用化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供能量。與傳統的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。對比
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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 28 簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。對比
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感應耦合電漿化學氣相沉積設備 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 28 簡要描述：感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。對比
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低真空化學氣相沉積設備 參考價 ￥面議
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品牌 型號 類型 激光頭 廠商性質 其他 更新時間 2024-08-08 瀏覽次數 129 簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。對比
