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TE/泰科 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 RXEF135 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 RXEF135 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 10 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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NA 鎖存器 74HC573D SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 74HC573D 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 8 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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INFINEON/英飛凌 IGBT IKW25N120T2 IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 10 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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K-CUT AC/DC調(diào)制IC K7805-500R3 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 K7805-500R3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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LITTELFUSE/力特 TVS二極管 ZEN056V130A24LS 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 ZEN056V130A24LS 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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ADI/亞德諾 STC8F2K08S2-28I SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 STC8F2K08S2-28I 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對比
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全新ST SPC564A80L7CFAR 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 SPC564A80L7CFAR 類型 其他電力半導(dǎo)體器件 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-13 瀏覽次數(shù) 7
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IKW25N120T2 IGBT Infineon/英飛凌 封裝TO-247 批次21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-13 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon/英飛凌型號：IKW25N120T2封裝：TO-247批次：21+數(shù)量：6000制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對比
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FS950R08A6P2LB 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT EDT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FS950R08A6P2LB 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FS950R08A6P2LB封裝：IGBTEDT2批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：100C最小電源電壓：2對比
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FS820R08A6P2B 電子元器件 INFINEON/英飛凌 封裝MODULE 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FS820R08A6P2B 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 17 技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號：FS820R08A6P2B封裝：MODULE批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：6-Pack集電極—發(fā)射極電壓VCEO：750V集電極—射極飽和電壓：1對比
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BYM600A170DN2 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝Diode 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 BYM600A170DN2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 19 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：BYM600A170DN2封裝：Diode批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N封裝/箱體：62mm高度：36對比
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FZ800R12KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FZ800R12KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 10 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ800R12KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V在25C的連續(xù)集電極電流：800A封裝/箱體：62mm最小工作溫度：-40C工作溫度：+125C高度：36對比
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FF900R12IE4V 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF900R12IE4V 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11
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FF300R06KE3_B2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF300R06KE3_B2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 16
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DD400S33KL2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝Diode 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 DD400S33KL2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 14
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FF1200R17KE3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF1200R17KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF1200R17KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1700V集電極—射極飽和電壓：2V在25C的連續(xù)集電極電流：1600A柵極—射極漏泄電流：400nAPd-功率耗散：5對比
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FD900R12IP4DV 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - P4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FD900R12IP4DV 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13
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FZ400R12KS4 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Fast 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FZ400R12KS4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 15 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ400R12KS4封裝：IGBT2Fast批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：SingleDualEmitter集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V在25C的連續(xù)集電極電流：510A封裝/箱體：62mm最小工作溫度：-40C工作溫度：+125C高度：36對比
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FF200R33KF2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF200R33KF2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF200R33KF2C封裝：IGBT2批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：3300V集電極—射極飽和電壓：3對比
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FS900R08A2P2_B31 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT EDT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FS900R08A2P2_B31 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 10 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FS900R08A2P2_B31封裝：IGBTEDT2批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：130C最小電源電壓：1V電源電壓：8對比
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FS380R12A6T4LB 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 – T4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FS380R12A6T4LB 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FS380R12A6T4LB封裝：IGBT4–T4批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：125C最小電源電壓：1對比
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FD800R33KF2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FD800R33KF2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FD800R33KF2C封裝：IGBT2批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：3300V集電極—射極飽和電壓：3對比
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FZ600R12KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ600R12KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ600R12KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對比
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FP50R12KS4C 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Fast 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FP50R12KS4C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FP50R12KS4C封裝：IGBT2Fast批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Hex集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：3對比
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FD800R17KE3_B2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FD800R17KE3_B2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11
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FP35R12U1T4 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - T4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FP35R12U1T4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FP35R12U1T4封裝：IGBT4-T4批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：PIM3-PhaseInputRectifier集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對比
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F4-75R06W1E3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 F4-75R06W1E3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：F4-75R06W1E3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：Quad集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V在25C的連續(xù)集電極電流：100A封裝/箱體：EASY1B最小工作溫度：-40C工作溫度：+150C高度：12mm長度：62對比
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FF225R65T3E3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FF225R65T3E3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF225R65T3E3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：100C最小電源電壓：4V電源電壓：9V長度：4對比
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FS30R06VE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FS30R06VE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FS30R06VE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：Hex集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V在25C的連續(xù)集電極電流：34A封裝/箱體：EASY750最小工作溫度：-40C工作溫度：+150C高度：12mm長度：35對比
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FZ600R17KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ600R17KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ600R17KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1700V集電極—射極飽和電壓：2對比
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FD600R17KE3_B2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FD600R17KE3_B2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9
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FD1400R12IP4D 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - P4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FD1400R12IP4D 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7
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FZ2400R33HE4 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ2400R33HE4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ2400R33HE4封裝：IGBT4-E4批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：100C最小電源電壓：3V電源電壓：8V長度：2對比
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FZ600R17KE3_S4 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ600R17KE3_S4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7
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FP50R06W2E3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FP50R06W2E3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FP50R06W2E3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：IGBT-Inverter集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1對比
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FZ300R12KE3G 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ300R12KE3G 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ300R12KE3G封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對比
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FZ400R12KE3B1 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ400R12KE3B1 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 8
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FS225R12KE3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FS225R12KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FS225R12KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Hex集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對比
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FF150R17ME3G 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FF150R17ME3G 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 8
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FF900R12IE4VP 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FF900R12IE4VP 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 10 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF900R12IE4VP封裝：IGBT4-E4批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-20C工作溫度：125C最小電源電壓：3對比
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FZ1600R17KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號 FZ1600R17KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 8
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FF650R17IE4V 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF650R17IE4V 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 5
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FF300R17KE3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF300R17KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF300R17KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1700V集電極—射極飽和電壓：2對比
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FF300R12ME3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF300R12ME3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7
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FF600R12ME4C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FF600R12ME4C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FF600R12ME4C封裝：IGBT4-E4批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：130C最小電源電壓：5V電源電壓：7對比
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FP15R12KS4C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Fast 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FP15R12KS4C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FP15R12KS4C封裝：IGBT2Fast批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：N集電極—發(fā)射極電壓VCEO：Hex集電極—射極飽和電壓：1200V在25C的連續(xù)集電極電流：3對比
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BSM75GB60DLC 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Low Loss 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 BSM75GB60DLC 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：BSM75GB60DLC封裝：IGBT2LowLoss批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：2對比
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FZ800R33KF2C 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FZ800R33KF2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號：FZ800R33KF2C封裝：IGBT2批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：3300V集電極—射極飽和電壓：3對比
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FD600R06ME3_S2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 FD600R06ME3_S2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 8
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DF900R12IP4DV 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - P4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號 DF900R12IP4DV 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 7
